反应离子刻蚀 Reactive-ion etching

（重定向自Reactive ion etching）

反应离子刻蚀（英文：Reactive-Ion Etching，或简写为RIE）是一种半导体生产加工工艺，它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料，来达到刻蚀的目的。气体在低压（真空)环境下由电磁场产生，等离子体中的高能离子轰击芯片表面并与之反应。

单词	Reactive ion etching
释义	Reactive ion etching 中文百科反应离子刻蚀 Reactive-ion etching （重定向自Reactive ion etching）反应离子刻蚀（英文：Reactive-Ion Etching，或简写为RIE）是一种半导体生产加工工艺，它利用由等离子体强化后的反应离子气体轰击目标材料，来达到刻蚀的目的。气体在低压（真空)环境下由电磁场产生，等离子体中的高能离子轰击芯片表面并与之反应。英语百科 Reactive-ion etching 反应离子刻蚀（重定向自Reactive ion etching） Reactive-ion etching (RIE) is an etching technology used in microfabrication. RIE is a type of dry etching which has different characteristics than wet etching. RIE uses chemically reactive plasma to remove material deposited on wafers. The plasma is generated under low pressure (vacuum) by an electromagnetic field. High-energy ions from the plasma attack the wafer surface and react with it.
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Reactive ion etching