巨磁阻效应 Giant magnetoresistance
(重定向自Giant magnetoresistive effect)


巨磁阻效应(Giant Magnetoresistance)是一种量子力学和凝聚体物理学现象,磁阻效应的一种,可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层(几个纳米厚)结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关,两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值,明显大于磁化方向相同时的电阻值,电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上,具有重要的商业应用价值。
![The founding results of Albert Fert and Peter Grünberg (1988): change in the resistance of Fe/Cr superlattices at 4.2 K in external magnetic field H. The current and magnetic field were parallel to the [110] axis. The arrow to the right shows maximum resistance change. Hs is saturation field.[note 1]](/uploads/202501/15/GMR.svg3936.png)


