扩散电流

当光照在本征半导体中心上时,载流子在中间产生，并向两边扩散。由于电子（绿色）的扩散系数高于空穴（紫色），电子在中心处的堆积比空穴更少。

扩散电流在半导体中因载流子（空穴或自由电子）扩散作用引起的电流。半导体中的扩散电流可以与由于电场形成的漂移电流同向或者反向。在一个平衡状态的PN结中，耗尽层的正向扩散电流和反向扩散电流平衡，因而净电流为零。可以用漂移–扩散方程来统一描述扩散电流和漂移电流。

掺杂材料的扩散常数可以通过Haynes–Shockley experiment确定。

单词	Diffusion current
释义	Diffusion current 中文百科扩散电流扩散电流在半导体中因载流子（空穴或自由电子）扩散作用引起的电流。半导体中的扩散电流可以与由于电场形成的漂移电流同向或者反向。在一个平衡状态的PN结中，耗尽层的正向扩散电流和反向扩散电流平衡，因而净电流为零。可以用漂移–扩散方程来统一描述扩散电流和漂移电流。掺杂材料的扩散常数可以通过Haynes–Shockley experiment确定。英语百科 Diffusion current 扩散电流 Diffusion current is a current in a semiconductor caused by the diffusion of charge carriers (holes and/or electrons). The drift current, by contrast, is due to the motion of charge carriers due to the force exerted on them by an electric field. Diffusion current can be in the same or opposite direction of a drift current. The diffusion current and drift current together are described by the drift–diffusion equation.
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Diffusion current

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