| 单词 | Vacancy defect |
| 释义 |
Vacancy defect
中文百科
晶格空位 ![Electron microscopy of sulfur vacancies in a monolayer of molybdenum disulfide. Right circle points to a divacancy, i.e., sulfur atoms are missing both above and below the Mo layer. Other circles are single vacancies, i.e., sulfur atoms are missing only above or below the Mo layer. Scale bar: 1 nm.[1]](/uploads/202502/19/MoS2_vacancies0535.jpg)  在晶体学中, 一个晶格空位是晶体的点缺陷之一。 当一个晶格格位上缺失了一个粒子（原子，离子甚至分子），这种缺陷既为晶格空位。除了被称为晶质的缺陷的晶体本质上具有的不完整性外，晶格空位有时是由于温度改变或受到辐射等外部因素造成的。 晶格空位自然存在于所有晶体。对于每一个小于该物质熔点的温度，都存在一个晶格空位平衡浓度（具有空位的格位和其他格位的比率）。一些金属在熔点温度具有大约为0.1%的平衡浓度。 . 晶格空位的形成可以简单的认为是晶体中的一个原子和它邻近原子间的结合力被破坏的结果。当这个原子离开它原本所处的格位，它将受到晶体表面的拉扯，并和其它处于表面的原子间再度形成结合。
英语百科
Vacancy defect 晶格空位In crystallography, a vacancy is a type of point defect in a crystal. Crystals inherently possess imperfections, sometimes referred to as crystalline defects. A defect in which an atom, such as silicon, is missing from one of the lattice sites is known as a 'vacancy' defect. It is also known as a Schottky defect, although in ionic crystals the concepts are not identical. |
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