肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体界面，就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒（障壁）相较于PN结最大的区别在于具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的(几乎不存在)耗尽层宽度。

并非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金属-半导体接面则称为欧姆接触。整流属性决定于金属的功函、固有半导体的能隙，以及半导体的掺杂类型及浓度。在设计半导体器件时需要对肖特基效应相当熟悉，以确保不会在需要欧姆接触的地方意外地产生肖特基势垒。

A Schottky barrier, named after Walter H. Schottky, is a potential energy barrier for electrons formed at a metal–semiconductor junction. Schottky barriers have rectifying characteristics, suitable for use as a diode. One of the primary characteristics of a Schottky barrier is the Schottky barrier height, denoted by Φ_B (see figure). The value of Φ_B depends on the combination of metal and semiconductor.