可变电阻式内存 Resistive random-access memory

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可变电阻式内存（英语：Resistive random-access memory，缩写为 RRAM 或ReRAM），是一种新型的非挥发性内存。类似的技术还有CBRAM与相变化内存，目前许多公司都正在发展这种技术。

ReRAM的优点在于消耗电力较低，且写入信息速度比NAND闪存快1万倍。蔡少棠认为，可变电阻式内存将会是一种忆阻器的形式。

单词	Resistive Random Access Memory
释义	Resistive Random Access Memory 中文百科可变电阻式内存 Resistive random-access memory （重定向自Resistive Random Access Memory）可变电阻式内存（英语：Resistive random-access memory，缩写为 RRAM 或ReRAM），是一种新型的非挥发性内存。类似的技术还有CBRAM与相变化内存，目前许多公司都正在发展这种技术。 ReRAM的优点在于消耗电力较低，且写入信息速度比NAND闪存快1万倍。蔡少棠认为，可变电阻式内存将会是一种忆阻器的形式。英语百科 Resistive random-access memory 可变电阻式记忆体（重定向自Resistive Random Access Memory） Resistive random-access memory (RRAM or ReRAM) is a type of non-volatile (NV) random-access (RAM) computer memory that works by changing the resistance across a dielectric solid-state material often referred to as a memristor. This technology bears some similarities to CBRAM and phase-change memory (PCM).
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