小注入
小注入（英语：low level injection）是形成PN结的一种工作条件。在N型半导体中，当注入半导体材料的非平衡电子（通过光照注入、电注入等方法引入的两种载流子——电子、空穴总是成对出现）的浓度小于平衡时导带中电子的浓度时，我们称这种方法为小注入。对于P型半导体，则需要比较非平衡空穴与平衡时的空穴的浓度。在小注入的情况下，多数载流子的复合率为线性。
| 单词 | Low level injection |
| 释义 |
Low level injection
中文百科
小注入小注入（英语：low level injection）是形成PN结的一种工作条件。在N型半导体中，当注入半导体材料的非平衡电子（通过光照注入、电注入等方法引入的两种载流子——电子、空穴总是成对出现）的浓度小于平衡时导带中电子的浓度时，我们称这种方法为小注入。对于P型半导体，则需要比较非平衡空穴与平衡时的空穴的浓度。在小注入的情况下，多数载流子的复合率为线性。
英语百科
Low level injection 小注入Low level injection conditions for a P-N junction refers to the state where the number of minority carriers generated are small compared to the majority carriers of the material. Essentially, the semiconductor's majority carrier concentration will remain (relatively) unchanged, while the minority carrier concentration sees a large increase. In this condition minority carrier recombination rates are linear. |
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