氧化铟锡 (ITO，或者掺锡氧化铟)是一种铟（III族）氧化物 (In₂O₃) and 锡（IV族）氧化物 (SnO₂)的混合物，通常质量比为90% In₂O₃，10% SnO₂。它在薄膜状时，为透明无色。在块状态时，它呈黄偏灰色。

氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜沉积中需要作出妥协，因为高浓度电荷载流子将会增加材料的电导率，但会降低它的透明度。

氧化铟锡薄膜最通常是用电子束蒸发、物理气相沉积、或者一些溅射沉积技术的方法沉积到表面。

因为铟的价格高昂和供应受限、ITO层的脆弱和柔韧性的缺乏、以及昂贵的层沉积要求真空，其它取代物正被设法寻找。碳纳米管导电镀膜是一种有前景的替代品。这类镀膜正在被Eikos发展成为廉价、力学上更为健壮的ITO替代品。PEDOT和PEDOT:PSS已经被爱克发和H.C. Starck制造出来.PEDOT:PSS层已经进入应用阶段（但它也有当暴露与紫外辐射下时它会降解以及一些其他的缺点）。别的可能性包括诸如铝-参杂的锌氧化物。

Indium tin oxide (ITO) is a ternary composition of indium, tin and oxygen in varying proportions. Depending on the oxygen content, it can either be described as a ceramic or alloy. Indium tin oxide is typically encountered as an oxygen saturated composition with a formulation of 74% In, 18% O₂, and 8% Sn by weight. Oxygen saturated compositions are so typical, that unsaturated compositions are termed oxygen deficient ITO. It is transparent and colorless in thin layers while in bulk form it is yellowish to grey. In the infrared region of the spectrum it acts as a metal-like mirror.