磷化铟
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磷化铟（Indium phosphide，InP）是由磷和铟组成的二元半导体材料，磷化铟和砷化镓及大部份的三五族半导体相同，都是面心立方（闪锌矿）晶体结构。
磷化铟可由白磷及碘化铟在400 °C下反应来制备。
Indium phosphide
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Indium phosphide 磷化铟
Indium phosphide (InP) is a binary semiconductor composed of indium and phosphorus. It has a face-centered cubic ("zincblende") crystal structure, identical to that of GaAs and most of the III-V semiconductors.
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