氮化铟（InN）是一种小能隙的半导体材料，在太阳能电池及其他高速电子学上有潜在的应用。

依温度的不同，氮化铟的能阶可以到约~0.7 eV（以往认定的值是1.97 eV）。其有效电子质量已由高磁场的测量所确认 ,， m*=0.055 m₀。氮化铟和氮化镓的合金为三元体系的氮化铟镓，其直接能阶从红外线（0.69 eV）延伸到紫外线（3.4 eV）。

目前有关氮化铟的研究是发展氮化物基础半导体的太阳能电池。利用合金氮化铟镓，可以对应太阳光的频谱。氮化铟的能阶其波长可以长到1900nm。不过这类太阳电池要商品化，仍有许多困难，利用氮化铟及高含铟的氮化铟镓制作p型半导体就是挑战之一。氮化铟和其他氮化物（如 氮化镓及氮化铝）的异质外延生长也已证实相当困难。

Indium nitride (InN) is a small bandgap semiconductor material which has potential application in solar cells and high speed electronics.

The bandgap of InN has now been established as ~0.7 eV depending on temperature (the obsolete value is 1.97 eV). The effective electron mass has been recently determined by high magnetic field measurements , m*=0.055 m₀.