巨磁阻效应 Giant magnetoresistance

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巨磁阻效应示意图。FM（蓝色）表示磁性材料，NM（橘色）表示非磁性材料，磁性材料中的箭头表示磁化方向；Spin的箭头表示通过电子的自旋方向；R（绿色）表示电阻值，绿色较小表示电阻值小，绿色较大表示电阻值大。（图片中电阻大小与说明文本中的表述不一致，图片表达有误，需要修改！）

费尔的实验结果。横坐标为磁化强度，纵坐标为磁化时电阻与无磁化时电阻的比值；三条曲线分别显示了三种不同厚度结构的铁、铬薄膜层。

巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance）是一种量子力学和凝聚体物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。

单词	Giant Magneto Resistance
释义	Giant Magneto Resistance 中文百科巨磁阻效应 Giant magnetoresistance （重定向自Giant Magneto Resistance）巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance）是一种量子力学和凝聚体物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。英语百科 Giant magnetoresistance 巨磁阻效应（重定向自Giant Magneto Resistance） Giant magnetoresistance (GMR) is a quantum mechanical magnetoresistance effect observed in thin-film structures composed of alternating ferromagnetic and non-magnetic conductive layers. The 2007 Nobel Prize in Physics was awarded to Albert Fert and Peter Grünberg for the discovery of GMR.
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