快闪存储器（英语：flash memory），是一种电子式可清除进程化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据保存，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如记忆卡与随身碟。闪存是一种特殊的、以大区块抹写的EEPROM。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。

闪存的成本远较可以字节为单位写入的EEPROM来的低，也因此成为非挥发性固态保存最重要也最广为采纳的技术。像是PDA、手提电脑、数字随身听、数字相机与手机上均可见到闪存。此外，闪存在游戏主机上的采用也日渐增加，借以取代保存游戏数据用的EEPROM或带有电池的SRAM。

Flash memory is an electronic (solid-state) non-volatile computer storage medium that can be electrically erased and reprogrammed.

Toshiba developed flash memory from EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory) in the early 1980s and introduced it to the market in 1984. The two main types of flash memory are named after the NAND and NOR logic gates. The individual flash memory cells exhibit internal characteristics similar to those of the corresponding gates.